Grundlagen
Halbleiter
Flussrichtung
Sperrrichtung
Kennlinie
Ladungsträgerdichte
Leckstrom / Sperrstrom
Bändermodell der Diode
Metall Halbleiter Übergang
Schottky Kontakt
Ohmscher Kontakt
In der Praxis / In Schaltungen
Arbeitspunkt
Vorwiderstand
Kleinsignalersatzschaltbild der Diode
Spannungswerte
Durchlassspannung
Durchbruchspannung
Sperrspannung
Flussspannung
Arten
PIN-Diode
Z-Diode
Schottky-Diode
Schottky-Diode – Halbleiter
Gunn-Diode
Durchbruch
Durchbruchbereich (allgemein)
Lawinendurchbruch (Avalanche-Effekt)
Zener-Durchbruch (Tunnel-Durchbruch)
Thermischer Durchbruch
Effekte in Flussrichtung
Reale Diodenkennlinie
Halbleiter Injektion
Hochinjektion
Bahnwiderstand
Sperrschicht rekombination
–
Sperrschichtkapazität
Diffusionskapazität
Dynamische Effekte
Schaltverhalten
Ausschaltverhalten / Sperrverzögerungszeit / Reverse recovery time
Einschaltverhalten / forward recovery
Sperrverzögerungsladung Qrr
Schaltverhalten Simulation der Diode
Leistung
Verlustleistung Diode
Schaltverluste der Diode
Einschaltverluste der Diode
Ausschaltverluste der Diode
Ideen
Germanium Diode
Dioden parallel schalten
Dioden in Reihe schalten
Quasineutralität