Halbleiter Halbleiter Herstellung eines Halbleiter Thermisches Gleichgewicht Ladungsträger-Konzentration Dotierung Dotierung N-Dotierung P-Dotierung Störstelle Majoritätsladungsträger Minoritätsladungsträger Spezifische Leitfähigkeit Akzeptoren & Donatoren Driftstrom Diffusionsstrom Elektronenstromdichte Löcherstromdichte Diffusionsspannung Ladungsträgerdichten Herstellung Eigenleitung Eigenleitungsdichte PN-Übergang PN-Übergang Rekombination Diffusion Raumladungszone Weite Raumladungszone Bändermodell Was ist das? Bändermodell Valenzband Leitungsband Bandlücke Bändermodell – Dotiert Bändermodell – PN-Übergang Kennlinien Verlauf Ladungsträgerdichte Verlauf Raumladungsdichte Verlauf elektrisches Feld Potentialverlauf Physik Widerstand eines Halbleiters //Energien: Besetzungswahrscheinlichkeit Boltzmann-Verteilung Nicht gelistet Dotierung1 [Kategorie: PN] [Kategorie: Dichten] Ladungsträgerdichte Donatorkonzentration Akzeptorkonzentration Löcherkonzentration Elektronenkonzentration Eigenleitungskonzentration [Kategorie: Niveaus] Fermi-Energie Fermi-Niveau WF Eigenleitungs-Niveau Wi Energie-Band [Kategorie: PN] Widerstand im Bändermodell Kurs Verlinkungen aus bestehenden Artikeln: …. Bändermodell PN-Übergang im Bändermodell Widerstand im Bändermodell Metall-Halbleiter Übergang