MOSFET Kennlinie (UDS zu ID)
Einleitung
In diesem Artikel geht es speziell um die Kennlinie des MOSFET welche ID in Abhängigkeit von UDS zeigt.
Aufbau / Erklärung der Kennlinie
Die Kennlinie zeigt UDS in Abhängigkeit von ID. Vereinfacht bedeutet dies, beim Anlegen einer Spannung zwischen Drain und Source (UDS) kann mithilfe der Kennlinie einfach der Strom (ID) abgelesen werden.
Gate-Spannung
Je nachdem welche Gate-Source-Spannung (UGS) angelegt wird, verschiebt sich die Kennlinie. Deshalb werden oft mehrere Kennlinien bei unterschiedlichen UGS eingezeichnet.
Gegebenes UGS nicht eingezeichnet!?
Natürlich sind nicht alle möglichen UGS eingezeichnet.
Beispielsweise kann Ugs auch bei 3,1145V liegen.
Um dennoch die Kennlinie zu ermitteln muss die erforderliche Kennlinie erahnt werden. In dem Beispiel einer Ugs von 3,1145V liegt diese über, jedoch sehr nach an, Ugs=3V
Arbeitsbereiche
Der MOSFET kann in unterschiedliche Arbeitsbereich unterteilt werden.
⇨ Arbeitsbereiche
Die Kennlinie kann diese visuell darstellen. im Bild zu sehen bei der Kennlinie 2 Arbeitsbereiche abgelesen werden.
Bei (1) handelt es sich um den linearen Bereich. Dieser wird auch als als Triodenbereich, ohmscher Bereich oder aktiver Bereich bezeichnet.
⇨ Linearer Bereich
Bei (2) handelt es sich um den Sättigungsbereich welche auch als saturation region, active mode oder Abschnürbereich bezeichnet wird.
⇨ Sättigungsbereich